腦電圖偽差：

方法及內(nèi)容：

腦電圖易受各種因素的影響而出現(xiàn)偽差，所以在描記中應(yīng)時(shí)刻注意識(shí)別和排除。常見的偽差有醫(yī)`學(xué)教育網(wǎng)搜集整理：

1.來源于受檢者的偽差 肌波、眨眼、眼球動(dòng)作、血管波、心電圖、呼吸動(dòng)作、軀體動(dòng)作、出汗、不自主動(dòng)作、假牙咬合電位等。

2.來源于電極的偽差 電極阻值過高、電極阻值不同、電極接觸不良、電極距離不等、電極短路、電極導(dǎo)聯(lián)夾斷線、電極夾連接不良、導(dǎo)聯(lián)線與輸入插口接觸不良、微音器效應(yīng)等。

3.腦電圖儀器功能失常 接地不良、放大器內(nèi)元、部件故障及標(biāo)準(zhǔn)電壓訊號(hào)失常（機(jī)械性阻尼、電路阻尼）、前放器電源供應(yīng)失常等。

4.外界電干擾 主要為電磁波干擾及靜電感應(yīng)。常來自腦電圖室附近的超短波儀、高頻震蕩器、X線機(jī)和大功率的其他電氣器械的電磁波干擾，沒有屏蔽的各類交流電源線，室內(nèi)其他電子儀器同時(shí)使用，地線不合格，受檢者穿著化纖衣服產(chǎn)生靜電感應(yīng)等。

如出現(xiàn)偽差要隨時(shí)排除及在描記中做出標(biāo)記。為減少偽差，腦電圖室應(yīng)設(shè)有屏蔽。